服务器与智能电视中的NT5CB64M16GP-FL:1Gb DDR3内存颗粒应用解析

发布时间:2026/7/13 19:51:54
服务器与智能电视中的NT5CB64M16GP-FL:1Gb DDR3内存颗粒应用解析 NT5CB64M16GP-FL南亚1Gb DDR3 SDRAM内存颗粒解析在服务器、网络通信设备、智能电视及工业控制等对内存带宽和系统稳定性有标准需求的嵌入式应用中DDR3 SDRAM凭借其成熟的生态和均衡的性能功耗比依然是可靠且具性价比的选择。南亚科技推出的NT5CB64M16GP-FL是一款1Gb DDR3内存颗粒在96-ball BGA封装内集成了64M×16的组织结构为相关领域提供了标准化的内存解决方案。NT5CB64M16GP-FL是南亚科技Nanya Technology推出的一款1Gb DDR3 SDRAM内存颗粒采用96-ball BGA封装集成了64M×16的组织结构、2133Mbps数据速率和1.5V工作电压支持0°C至95°C的商业级温度范围。一、产品定位与概述该器件隶属于南亚科技DDR3 1Gb SDRAM产品线属于该系列中的“GP”版本。南亚官网将其列为“Available”在售状态。产品属性规格说明制造商Nanya南亚科技全球利基型DRAM市场主要供应商产品类别DDR3 SDRAM第三代双倍数据速率SDRAM存储容量1Gb128MB1Gbit密度组织结构64M × 16位64M个地址 × 16位数据宽度数据速率2133MbpsDDR3-2133每引脚2133兆位/秒工作电压1.5VJEDEC标准DDR3电压封装类型96-ball BGA标准DDR3 x16封装温度范围0°C ~ 95°C商业级温度范围产品状态Available在售南亚官网标注为可获取二、核心技术特性2.1 DDR3-2133数据速率参数规格说明数据传输速率2133 Mbps每引脚数据速率等效频率2133 MHzDDR双倍数据速率单芯片带宽约3.4GB/s2133Mb/s × 16bit ÷ 8该器件支持DDR3-2133数据速率是DDR3世代中的高速配置之一相比DDR3-1600性能提升约33%。2.2 标准电压1.5V电压参数最小值典型值最大值单位工作电压VDD/VDDQ1.4251.51.575V1.5V是JEDEC标准的DDR3工作电压。该电压等级与1.35V的DDR3L版本如NT5CC系列形成区分——“CB”前缀在命名中标识了其1.5V标准电压DDR3产品身份。2.3 存储组织64M × 1664M地址深度每个颗粒包含67,108,864个存储地址×16数据宽度每个地址对应16位并行数据输出8个内部Bank支持Bank交错操作x16架构使单颗芯片即可提供16位数据总线宽度在嵌入式系统应用中只需1-2颗即可构成128-256MB内存方案。三、型号命名规则解读NT5CB64M16GP-FL的命名规则揭示了该型号的规格信息字段含义说明NT南亚科技标识标准前缀5产品世代DDR3产品CB电压版本标准DDR31.5V64M16组织结构64M × 16GPDie版本特定Die版本-FL速度等级2133MbpsDDR3-2133南亚“CC”前缀对应1.35V DDR3L版本而本器件的“CB”前缀明确标识其为标准1.5V DDR3产品。四、总结NT5CB64M16GP-FL作为南亚科技DDR3 1Gb SDRAM的标准电压型号在96-ball BGA封装内实现了1Gb存储容量、64M×16组织结构、2133Mbps数据速率和1.5V工作电压的资源组合为服务器、网络通信设备、智能电视及工业控制等应用提供了标准化的DDR3内存选择。其DDR3-2133高速率是该器件的核心性能优势可提供约3.4GB/s的单芯片带宽。“CB”前缀明确标识了其标准DDR31.5V产品属性与DDR3L1.35V版本形成区分。0°C至95°C的商业级温度范围覆盖了绝大多数室内部署场景。NT5CB64M16GP-FL | Nanya | 南亚科技 | DDR3 SDRAM | 1Gb | 64M×16 | 2133Mbps | DDR3-2133 | 96-ball BGA | 1.5V | 128MB | 0°C~95°C | 服务器 | 智能电视 | 网络通信 | 嵌入式系统 | 内存颗粒 | 无铅/RoHS | AvailableEmail: carrotaunytorchips.com