随着智能座舱、域控制器和高级驾驶辅助系统逐步下放车上的存储需求明显变重。事件数据记录器、安全气囊传感系统、BMS这些模块既要持续高频写入数据又要求断电后数据不丢、能长期保存。传统方案各有短板Flash频繁写入寿命吃紧SRAM离开电池和备份电路就留不住数据。MRAM是磁性随机存储器本质非易失读写速度却接近SRAM。MRAM存储芯片既有Flash的断电保持能力又有RAM级别的快速、无限次写入。对STT-MRAM而言还能直接取代功能相近的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM省掉后备电池和外部ECC系统设计随之简化。传感器数据可以实时落盘无需负载均衡。通过AEC-Q100车规认证的MRAM存储芯片能在-40℃至125℃的发动机舱环境下保存数据20年覆盖整车全生命周期。以MRAM存储芯片型号S3R6416V1M为例这颗64Mbit容量的MRAM芯片采用4M x 16的组织结构工作在2.70~3.60V的电压范围支持70ns的存取时间。MRAM存储芯片48FBGA封装与-40℃至85℃的温度等级使其能轻松适配多数座舱及车身控制环境。对于需要更高耐温如AEC-Q100 Grade 1的引擎舱应用NETSOL也提供了相应规格的衍生型号可覆盖-40℃至125℃的严苛工况。对已经在用Everspin并口MRAM的项目最关心的往往是切换成本。NETSOL推出的Everspin MRAM替代型号S3R6416V1M是面向车用的并口STT-MRAM规格上可直接对标原方案。如果您正在评估EVERSPIN替代方案或项目正卡在频繁写入与掉电保护之间NETSOL的MRAM存储芯片是一个很好的选择。
