文章目录一、导通电阻R D S o n R_{DSon}RDSon1.结温对导通电阻R D S o n R_{DSon}RDSon的影响2.栅极驱动电压V G S V_{GS}VGS与导通电阻R D S o n R_{DSon}RDSon的关联特性二、漏源截止漏电流I D S S I_{DSS}IDSS三、栅极与源极之间的漏电流I G S S I_{GSS}IGSS一、导通电阻R D S o n R_{DSon}RDSon1.结温对导通电阻R D S o n R_{DSon}RDSon的影响导通电阻随结温升高而增大因此在计算时应采用对应实际工作温度下的阻值。规格书中给出的最大连续漏极电流通常是基于最高结温所对应的导通电阻进行计算的。一般规格书中参数部分列出的都是在结温为25℃时的导通电阻值需注意温度条件。2.栅极驱动电压V G S V_{GS}VGS与导通电阻R D S o n R_{DSon}RDSon的关联特性随着V G S V_{GS}VGS增大导通电阻减小。对于标准硅基功率MOSFET当V G S V_{GS}VGS达到约10V后R D S o n R_{DSon}RDSon趋于饱和继续增大V G S V_{GS}VGS变化很小.设计时应根据具体器件的R D S o n R_{DSon}RDSon-vs-V G S V_{GS}VGS曲线确定合适的驱动电压。二、漏源截止漏电流I D S S I_{DSS}IDSS漏源截止漏电流I D S S I_{DSS}IDSS 是指 MOSFET 处于完全关断状态时漏极与源极之间仍然存在的微弱电流。条件栅源电压V G S V_{GS}VGS0V 或处于关断/截止状态漏源之间加有一定电压V D S V_{DS}VDS物理本质沟道完全关断时漏极与源极之间仍存在的微小漏电流来源PN 结反向漏电流、亚阈值导通、界面态等数量级通常为 uA 级甚至 nA 级越小越好电流数值与温度密切相关温度每升高一定幅度漏电流近似呈指数规律增长。三、栅极与源极之间的漏电流I G S S I_{GSS}IGSSI G S S I_{GSS}IGSSGate-to-Source Leakage Current是 栅极与源极之间施加一定电压时流过栅极绝缘层的微小漏电流反映栅极绝缘层的绝缘质量。测试条件漏极与源极短接V D S V_{DS}VDS0 在栅极与源极之间施加规定电压V G S V_{GS}VGS通常为最大额定栅压测量对象流过栅极氧化层的漏电流理想值通常为 nA 级甚至 pA 级越小越好理想情况下应为零上一篇《MOS 选型要点一V (BR) DSS击穿耐压和漏极电流上限与工程计算》更多系列文章▷ 《三极管BJT特性》▷ 《可调高输入电阻的差分放大电路与仿真》▷ 《带偏置的可调高输入电阻的差分放大电路与仿真》▷ 《微分运算电路波形转换电路》▷ 《低侧单向电流检测电路》
