AI存储的热门产品是HBM但一轮由HBM引发的涨价正在出现在另一类成熟存储芯片上。海外存储厂商把生产资源转向3D NAND和HBM并逐步退出2D NAND市场SLC NAND供应随之收缩。东芯股份在2026年6月16日披露的投资者关系活动记录表中表示自2025年下半年以来公司SLC NAND产品价格已经环比上涨。工业控制、网络通信和汽车电子需求恢复也在支撑利基型存储的价格。这条产业链的关系有些绕。AI并没有直接拉动所有SLC NAND需求却改变了全球存储厂商的资源配置。高端存储获得更多产能和资本投入成熟产品的供应减少原本增长平稳的市场出现缺口。东芯股份由此获得涨价机会但晶圆代工成本也在上升价格能否转化为利润还要看出货量、产品结构和采购成本。HBM扩产压缩了2D NAND供给SLC NAND是一种强调可靠性和耐久性的闪存。它在一个存储单元中保存一位数据容量通常不如主流消费类存储但擦写寿命、数据稳定性和复杂环境适应能力更强。这些特性决定了SLC NAND的应用场景。网络通信设备需要保存启动程序和配置数据工业控制设备要求长期稳定运行汽车电子则对工作温度、可靠性和使用寿命有严格要求。这类需求规模没有消费电子存储那么大却很难随意更换产品。芯片一旦进入设备设计方案还要经过测试、认证和长期运行验证。客户不会因为短期价格变化频繁更换供应商。供给端却发生了变化。海外存储厂商逐步退出2D NAND市场将生产资源转向容量更大、附加值更高的3D NAND和HBM。旧产线关闭以后SLC NAND等利基型存储的有效供应减少。新增产能也无法迅速补上缺口。存储芯片需要经过设计、晶圆制造、封装测试和客户验证。晶圆厂调整工艺和产能需要时间下游客户导入新产品同样需要周期。东芯股份目前没有研发3D NAND和HBM的安排经营重点仍是中小容量NAND、NOR和DRAM。公司官网显示其SPI NAND产品覆盖38nm、2xnm和1xnm工艺并集成内部纠错功能主要服务工业、通信、物联网和汽车电子等市场。这形成了一种错位。大型厂商集中资源争夺AI高端存储市场东芯股份继续留在利基型存储领域原本成熟的产品反而因为供应减少获得了价格空间。产品已经涨价利润还要看代工成本涨价只是经营改善的第一步。东芯股份采用Fabless模式负责芯片研发设计和销售晶圆制造与封装测试由合作厂商完成。这种模式减少了自建晶圆厂的资本投入但生产成本和供货稳定性会受到代工产能影响。东芯股份在调研材料中提到晶圆代工成本正在上升。上游成本能够支撑产品价格却也会消耗涨价带来的毛利空间。如果产品售价与晶圆成本同步上涨利润改善可能弱于收入增长。2025年东芯股份实现营业收入9.21亿元同比增长43.76%。公司整体毛利率较上一年明显改善各季度毛利率环比提升存储业务已经实现盈利。产品升级也在推进。1xnm闪存产品已经量产并实现销售2xnm制程SLC NAND仍在持续研发和扩充产品型号。更先进的工艺有助于优化单颗芯片成本但还需要经过良率提升和客户导入。2026年东芯股份正在增加主要存储产品线的生产和备货并根据订单变化动态调整投片规模。这里存在一个经营平衡。投片过于保守可能在供应紧张时失去订单备货过快则需要承担需求变化和库存积压风险。因此SLC NAND涨价能否持续改善经营取决于三个变量能否配合。产品价格需要覆盖晶圆成本上涨投片规模需要匹配真实订单新制程产品还要稳定量产。任何一项出现偏差涨价带来的利润空间都会被削弱。观察价格、投片与毛利率能否同步改善AI扩张除了创造新需求也会改变成熟芯片的供给结构。判断利基型存储的经营机会不能只看产品是否涨价。价格上涨可能来自短期缺货也可能来自产能长期退出。两种情况对应的持续时间和备货策略完全不同。东芯股份披露的信息更接近后者。海外厂商退出2D NAND、扩充新产能需要时间、工业和汽车客户更换芯片的周期较长这些因素共同限制了供给快速恢复。但客户需求仍要持续验证。SLC NAND主要面对工业控制、通信网络和汽车电子这些领域的增长节奏与HBM不同。AI是本轮供给变化的重要推力利基型存储最终能卖出多少仍由自身下游需求决定。后续经营数据应当放在一起观察。产品平均售价是否继续提高晶圆代工成本上涨多少投片和出货能否同步增长毛利率能否延续改善库存是否保持合理水平这些指标将决定涨价的实际含金量。HBM吸走了存储行业的注意力也吸走了部分生产资源。东芯股份获得的机会来自成熟产品供应减少后的结构性缺口。下一阶段需要确认的是这个缺口能否持续转化为收入、毛利率和现金流。
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