IGBT绝缘栅双极型晶体管融合了三极管和MOS管的优点电路图如下图所示右侧为等效电路图G栅极是IGBT的控制端。假如给控制端G一个高电压则C集电极E发射极之间导通这个高电压的范围一般是12~15V假如给G一个低电压则CE之间截止这个低电压的范围一般是0~0.5V或者-5~-9V。IGBT作用①高压大功率开关功能----用于几kW或者几MW的大功率场景②能量转换功能IGBT三种工作状态截止状态、饱和导通状态、线性放大状态①截止状态VgeVge(th)导通电压CE断开不工作②饱和导通状态Vge≥Vge(th)导通电压此时有个压降Vce2V③线性放大状态IGBT处于线性放大状态时损耗严重温度飙升容易炸管所以一般不用IGBT来进行放大IGBT与MOS管一样是一个电压控制电流的元器件而三极管BJT是小电流控制大电流的器件 来自尧图内容编辑团队
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