在嵌入式实时控制系统、智能工控设备的存储方案选型中非易失性SRAMNVSRAM凭借高速读写、断电保数的双重优势弥补了传统存储芯片的性能短板。区别于常规存储器件NVSRAM无需周期性数据刷新兼具纳秒级读写速度与非易失存储特性完美适配各类高速、高可靠的数据存储场景是高端工控、精密设备CPU缓存及核心数据存储的优选器件。一、NVSRAM非易失性SRAM特性目前嵌入式系统常用的EEPROM、FLASH存储器普遍存在写入速率慢、读写算法复杂的问题无法满足实时数据更新、高频改写的工况需求。尤其在红外图像处理、动态参数校准等场景中设备运行参数需实时迭代更新且断电后不可丢失传统存储器件极易出现数据延迟、写入失败等问题。而NVSRAM非易失性SRAM兼容普通SRAM的简易读写逻辑拥有ns级极速响应速度同时实现了断电数据永久保存无需复杂的擦写算法与磨损均衡配置可充分满足实时处理系统的高速数据存储需求。二、非易失性SRAM主流NVSRAM产品实现方案市面上NVSRAM非易失性SRAM主要分为三种成熟实现方案适配不同设备的成本、安装及可靠性需求。1、电池备份SRAM是应用最广泛的基础方案芯片预留外接电池引脚可搭配纽扣电池或超级电容使用主电源断开后自动切换备用电源以超低功耗维持数据存储性价比高、适配性极强。2、内置储能式SRAMiBRAM无需外接电源配件芯片集成储能单元大幅简化电路设计规避外接电池故障风险设备稳定性与使用寿命更优。3、NVDIP模组则集成SRAM芯片、电源管理、写保护电路等模块模块化设计安装便捷即插即用适配高精度设备但整体采购成本相对偏高。三、VTI NVSRAM产品参数介绍以主流VTI非易失性SRAM芯片VTI8P016N16M为例该型号具备优异的综合性能适配各类中高端工控存储场景。NVSRAM产品存储容量为16Mbit架构为1M×16标准3.3V工作电压35ns极速响应速度可满足高频实时读写需求。同时支持54TSOP、48BGA多种主流封装形式适配不同设备的PCB布局需求兼容性与适配性极强。
