存储层级（SLC / DLC / MLC / TLC / QLC）的矩阵方程模型NAND Flash 存储层级纳入，建立SLC（1 bit/cell）、DLC（2 bits/cell，即 MLC 的一种称呼）、TLC（3 bits/cell）、QLC（4 bits/cell） 在阈值电压分布、Vth 漂移、LDPC 译码、PE 寿命、磨损均衡 等方面的矩阵方程，并说明如何化为节点/状态自由度上的线性方程组。📌 关于 DLC 的说明：在 NAND 闪存语境中，"DLC" 并非标准术语，通常业界使用SLC / MLC（2 bits）/ TLC（3 bits）/ QLC（4 bits）。此处"DLC"疑似为 MLC 的笔误或是某些厂商对 2-bit cell 的别称。下文将 DLC 按 2-bit/cell（即 MLC）处理，并在表中明确标注。表 S1：NAND 存储层级的物理模型与矩阵方程总览1) 阈值电压分布模型（Vth Distribution）每个 cell 的阈值电压 Vth 服从高斯混合分布，bit 数越高，分布重叠越严重：f(Vth)=i=0∑2b−12πσipiexp(−2σi2(Vth−μi)2)其中 b = bits per cell（SLC:1, MLC:2, TLC:3, QLC:4），pi 为第 i 个电平的概率（通常均匀 pi=1/2b）
